台積電越來越依賴ASML的EUV光刻機:3nm需要20層
2020-10-22 12:15:44  出處:快科技 作者:萬南 編輯:萬南     評論(0)點擊可以複製本篇文章的標題和鏈接

台積電是第一家將EUV(極紫外)光刻工藝商用到晶圓代工的企業,目前投產的工藝包括N7+、N6和N5三代。

其中N7+即第二代7nm,EUV總計4層。即便如此,這也相較於多重曝光也節省了時間,提高了芯片的生產效率。

不過,迭代到5nm後,EUV的層數達到了14層,包括但不限於觸點、過孔以及關鍵金屬層等過程。

而最快2022年投產的3nm,為了實現15%的性能提升、30%的功耗下降以及70%的密度增加,ASML(阿斯麥)透露,EUV將超過20層,也就是鰭片和柵極都要引入EUV切割掩模。

阿斯麥CEO Peter Wennink表示,EUV層數增加有很多好處,比如只需要單重曝光而不是DUV設備的多重曝光,對DRAM芯片同樣如此。

為此,台積電將需要確保EUV光刻機的安裝數量,但他們顯得非常有信心

台積電越來越依賴ASML的EUV光刻機:3nm需要20層

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#台積電#3nm#阿斯麥#光刻機

責任編輯:萬南

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